图像仅供参考,请参阅规格书
封装/外壳:PG-TO251-3
RoHS:Y
技术:Si
安装风格:ThroughHole
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600V
Id-连续漏极电流:4.5A
Rds On-漏源导通电阻:950mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1V
Vgs - 栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:19nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:50W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:6.22mm
长度:6.73mm
系列:CoolMOSC3
晶体管类型:1N-Channel
宽度:2.38mm
下降时间:9.5ns
MXHTS:85412999
上升时间:2.5ns
典型关闭延迟时间:58.5ns
典型接通延迟时间:6ns
商标名:CoolMOS
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs