封装/外壳：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：3.2A

Rds On-漏源导通电阻：1.4Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：13nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：38W

通道模式：Enhancement

高度：6.22mm

长度：6.73mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

下降时间：12ns

上升时间：3ns

典型关闭延迟时间：64ns

典型接通延迟时间：7ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：1400.0mΩ

IDpuls max：9.6A

VDS max：600.0V

ID max：3.2 A

RthJC max：3.3 K/W

QG (typ @10V)：13.0 nC

Package：IPAK SL (TO-251 SL)

Budgetary Price €€/1k：0.43

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：38.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0 Pins

RthJA max：75.0K/W

VGS(th) min max：2.1 V 3.9 V

Mounting：THT

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs