FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 80µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：200pF @ 25V

功率耗散（最大值）：25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO251-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：1.8A

Rds On-漏源导通电阻：3Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：9.5nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：25W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：6.22mm

长度：6.73mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：2.38mm

下降时间：12ns

上升时间：3ns

典型关闭延迟时间：68ns

典型接通延迟时间：6ns

封装/外壳：PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs