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SPP08N80C3 /MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
SPP08N80C3的规格信息
SPP08N80C3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PG-TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:650 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:104 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SP000683156 SPP08N80C3XKSA1 SPP8N8C3XK

单位重量:6 g

供应商SPP08N80C3
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深圳市威雅利发展有限公司SPP08N80C3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
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SPP08N80C3的全球分销商及价格
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SPP08N80C3Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.9V @ 470uA 漏源导通电阻:650mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道1+:¥6.97
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