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SPP06N80C3XKSA1 /MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
SPP06N80C3XKSA1的规格信息
SPP06N80C3XKSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:780 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:41 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SP000683154 SPP06N80C3 SPP6N8C3XK

单位重量:6 g

供应商SPP06N80C3XKSA1
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