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SPP04N80C3 /MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
SPP04N80C3的规格信息
SPP04N80C3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:1.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:63 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SP000683152 SPP04N80C3XKSA1 SPP4N8C3XK

单位重量:6 g

供应商SPP04N80C3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SPP04N80C3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司SPP04N80C3www.nowchip.com0755-27381274
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18938047708/18938048779
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13352985419
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深圳市德鸿芯科技有限公司SPP04N80C3龙华新区民治樟坑东明大厦15399990331 18165780858陈梦,李丽skype:lili2269002025qq@hotmail.comEmail:13480623438@163.COM询价
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深圳市佳威星科技有限公司SPP04N80C3深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市星宇佳科技有限公司SPP04N80C3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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SPP04N80C3Cool MOS™ Power Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO250.47 Kbytes共12页SPP04N80C3的PDF下载地址SPN03N60C3,SPP07N60S5,SPP20N60CFD,SPN03N60S5,SPP07N65C3,SPP20N60S5,SPN04N60C2,SPP08N50C3,SPP20N65C3,SPW17N80C3
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SPP04N80C3的全球分销商及价格
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Rochester
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25+:¥5.96
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100+:¥5.85
300+:¥5.82
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23+:¥15.1950+:¥14.72
200+:¥12.04
1000+:¥9.14
2000+:¥8.7099
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立创商城
SPP04N80C3Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.9V @ 240uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥7.37
10+:¥5.55
30+:¥5.21
100+:¥4.88
500+:¥4.73
1000+:¥4.66