安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：TO-252-3

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：7.3A

Rds On-漏源导通电阻：600mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

下降时间：7ns

上升时间：3.5ns

典型关闭延迟时间：60ns

典型接通延迟时间：6ns

Packing Type：TAPE & REEL

RDS (on) max：540.0mΩ

IDpuls max：21.9A

VDS max：600.0V

ID max：7.3 A

RthJC max：1.5 K/W

QG (typ @10V)：21.0 nC

Package：DPAK (TO-252)

Rth：1.5K/W

QG：21.0 nC

ID (@25°C) max：7.3 A

Budgetary Price €€/1k：0.7

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：83.0W

Ptot max：83.0 W

Polarity：N

IDpuls max：21.9 A

VDS max：600.0 V

Operating Temperature min：-55.0 °C

RDS (on) (@10V) max：540.0 mΩ

RthJA max：75.0K/W

VGS(th) min max：2.1 V 3.9 V

Mounting：SMT

RthJC max：1.5K/W

RthJA max：75.0 K/W

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

RDS (on) max：540.0 mΩ

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs