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SPD04P10PLG / MOSFET P-Ch -100V 4.2A DPAK-2
SPD04P10PLG的规格信息
SPD04P10PLG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:4.2 A

Vds-漏源极击穿电压:- 100 V

Rds On-漏源导通电阻:850 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:38 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:5.7 ns

系列:SPD04P10

工厂包装数量:2500

商标名:SIPMOS

典型关闭延迟时间:18 ns

典型接通延迟时间:4.6 ns

零件号别名:SP000212231 SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PLGXT

供应商SPD04P10PLG
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SPD04P10PLGSIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO777.71 Kbytes共9页SPD04P10PLG的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		SPD04P10PLGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3$0.95000
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立创商城		SPD04P10PLGInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 380uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：P沟道1+:￥3.22
10+:￥2.41
30+:￥2.26
100+:￥2.11
500+:￥2.04
1000+:￥2.01
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