系列：SIPMOS®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 380µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：372pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：38W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：850 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO252-3

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：100V

连续漏极电流ID：4.2A

漏源电压（Vdss）：100V

供应商器件封装：PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：否