不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2400pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 13.1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：114nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：600V

Id-连续漏极电流：20.7A

Rds On-漏源导通电阻：190mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.1V

Qg-栅极电荷：87nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：208W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：CoolMOSC3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

下降时间：4.5ns

上升时间：5ns

典型关闭延迟时间：67ns

典型接通延迟时间：10ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs