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SPB160N04S2L-03 /Infineon Technologies/分立半导体产品
SPB160N04S2L-03的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):160A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8000pF @ 25V

功率 - 最大值:300W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

供应商器件封装:P-TO263-7

其它名称:SP000014639SPB160N04S2L03DTMA1SPB160N04S2L03T

供应商SPB160N04S2L-03
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SPB160N04S2L-03OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO297.21 Kbytes共8页SPB160N04S2L-03的PDF下载地址IPD04N03LA,IPI04N03LA,SPD15N06S2L-64,SPD50N06S2L-13,SPI100N03S2-03,SPP100N06S2L-05,IPD05N03LA,IPI05N03LA,SPD22N08S2L-50,SPD100N03S2L-04
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