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SPB18P06PG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:130mΩ @ 13.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):81.1W 类型:P沟道
SPB18P06PG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)18.7A

栅源极阈值电压4V @ 1mA

漏源导通电阻130mΩ @ 13.2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)81.1W

类型P沟道

供应商SPB18P06PG
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深圳市天卓伟业电子有限公司SPB18P06PG深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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SPB18P06PGATMA1SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL POInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO441.36 Kbytes共8页SPB18P06PGATMA1的PDF下载地址
SPB18P06PG的全球分销商及价格
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SPB18P06PGInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel1,000 : $0.4888
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SPB18P06PGInfineon TechnologiesSPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO$0.45000
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Digi-Key 得捷电子
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesSPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO$0.45000
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SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -60V 18.6A D2PAK-21:¥8.8366
10:¥7.5597
100:¥5.8082
500:¥5.1302
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SPB18P06PGInfineon Technologies AGN/A500 : $0.63
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SPB18P06PGInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.7A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:130mΩ @ 13.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):81.1W 类型:P沟道1+:¥5.12
10+:¥3.86
30+:¥3.63
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1000+:¥3.25