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SPB08P06PG / MOSFET P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2
SPB08P06PG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:8.8 A

Vds-漏源极击穿电压:- 60 V

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:42 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:46 ns

系列:SPB08P06

工厂包装数量:1000

商标名:SIPMOS

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB08P06PGXT

供应商SPB08P06PG
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