FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：490pF @ 25V

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 2.8A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TO263-3-2

封装/外壳：PG-TO263-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：4.5 A

最大漏源电压：650 V

最大漏源电阻值：0.95 0hms

最大栅阈值电压：3.9V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：50 W

高度：4.57mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：10.31 x 9.45 x 4.57mm

宽度：9.45mm

系列：CoolMOS C3

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：19 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：490 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：58.5 ns

典型接通延迟时间：6 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：10.31mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs