不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：490pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PG-TO263-3
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：25nC @ 10V
安装风格：SMD/SMT
通道数量：1Channel
晶体管极性：N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：600V
Id-连续漏极电流：4.5A
Rds On-漏源导通电阻：950mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：20V
最小工作温度：-55C
最大工作温度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：50W
通道模式：Enhancement
商标名：CoolMOS
封装：CutTape
高度：4.4mm
长度：10mm
系列：CoolMOSC3
晶体管类型：1N-Channel
宽度：9.25mm
下降时间：9.5ns
上升时间：2.5ns
典型关闭延迟时间：58.5ns
典型接通延迟时间：6ns
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs