数据列表：SPB02N60C3
产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：CoolMOS??
包装：带卷（TR）
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.8A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：12.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：200pF @ 25V
功率 - 最大值：25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3
其它名称：SP000013516SPB02N60C3ATMA1SPB02N60C3INTRSPB02N60C3XTSPB02N60C3XT-ND