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SMMBT2369LT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DUAL COMMON CATHODE
SMMBT2369LT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4.5 V

集电极—射极饱和电压:0.3 V

最大直流电集电极电流:200 mA

增益带宽产品fT:300 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBT2369L

直流电流增益 hFE 最大值:120

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:20

Pd-功率耗散:300 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

供应商SMMBT2369LT1G
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