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SMMA511DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SMMA511DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 4.2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 6V

功率 - 最大值:6.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6 双

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 双

供应商SMMA511DJ-T1-GE3
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SMMA511DJ-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥15.571+:¥23
10+:¥19.81
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SMMA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixN- AND P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $2.1451
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SMMA511DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET NP CH W/D12V PPAK SC70-6L
RoHS : Compliant
1 : $23.4
10 : $20.1
100 : $18.0
250 : $17.200001
500 : $16.700001
1,000 : $16.5
3,000 : $16.299999
9,000 : $16.0
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