FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V
漏源电压（Vdss）：30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：50mA
电压，耦合至电流 - 泄漏 @ Vds（Vgs=0）：15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V
电流，耦合至电压 - 截止（VGS off）@ Id：10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 15V（VGS）
电阻 - RDS（开）：30 Ohms
功率 - 最大值：225mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs