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SKM50GB12T4 /IGBT halfbridge module 81A 1200V
SKM50GB12T4的规格信息
SKM50GB12T4的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

配置：双半桥

晶体管配置：串行

最大连续集电极电流：81 A

最大集电极-发射极电压：1200 V

最大栅极发射极电压：±20V

通道类型：N

安装类型：面板安装

封装类型：SEMITRANS2

引脚数目：7

尺寸：94 x 34 x 30.1mm

高度：30.1mm

长度：94mm

最高工作温度：+175 °C

宽度：34mm

最低工作温度：-40 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

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上海三村电子技术有限公司SKM50GB12T4上海松江区乐都西路18964592030小冯Email:ic0725@126.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SKM50GB12T4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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万三科技（深圳）有限公司SKM50GB12T4深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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Allied Electronics		SKM50GB12T4SEMIKRONSKM50GB12T4; SEMITRANS2 Dual Half BridgeIGBT Module; 81 A max; 1200V; Panel Mount+1:$94.32
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