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SKM400GB12T4 /Semitrans; IGBT halfbridge trench; 1200v
SKM400GB12T4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

Collector Current610 A

Collector to Emitter Shorted Voltage1200 V

Collector to Emitter Voltage2.4 V

ConfigurationDual

Continuous Collector Current616 A

Dimensions106.4 x 61.4 x 30.5 mm

Energy Rating30.5 mJ

Gate to Emitter Voltage6.5 V

Height1.201" (30.5mm)

Length4.188" (106.4mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeScrew

Number of Pins7

Package TypeSEMITRANS 3

Resistance, Thermal, Junction to Case0.072 K/W

SeriesIGBT Series

Switching Speed20 kHz

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

TypeIGBT

Width2.417" (61.4mm)

供应商SKM400GB12T4
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18124047120
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SKM400GB12T4SEMIKRONIGBT MODULE DUAL N CH 1.2KV
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