通道类型：N

最大连续漏极电流：200 A

最大漏源电压：100 V

最大漏源电阻值：9 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2.1V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SEMITRANSM1

安装类型：面板安装

晶体管配置：单

引脚数目：4

类别：功率 MOSFET

最低工作温度：-40°C

最高工作温度：+150 °C

高度：30mm

晶体管材料：Si

典型输入电容值@Vds：10 pF @ 25 V

每片芯片元件数目：1

典型接通延迟时间：60 ns

宽度：42mm

尺寸：78 x 42 x 30mm

长度：78mm

典型关断延迟时间：270 ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs