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SKM100GB125DN /晶体管,IGBT,模块,半电桥,超 快
SKM100GB125DN的规格信息
SKM100GB125DN的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

配置：双半桥

晶体管配置：串行

最大连续集电极电流：100 A

最大集电极-发射极电压：1200 V

最大栅极发射极电压：±20V

通道类型：N

安装类型：面板安装

封装类型：SEMITRANS2

引脚数目：7

尺寸：94.5 x 34.5 x 30.5mm

高度：30.5mm

长度：94.5mm

最高工作温度：+150 °C

宽度：34.5mm

最低工作温度：-40°C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SKM100GB125DN
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上海传泽电子科技有限公司SKM100GB125DN上海市松江区乐都西路825弄8990号5层13381567868刘经理Email:1989029555@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SKM100GB125DN深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
上海三村电子技术有限公司SKM100GB125DN上海松江区乐都西路18964592030小冯Email:ic0725@126.com询价
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Allied Electronics		SKM100GB125DNSEMIKRONIGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS+1:$181.89
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