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SKM100GB12T4G /IGBT Half-Bridge - Trench, SEMITRANS 2, VCES=1200V, IC=160A, VF=2.5V
SKM100GB12T4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current160 A

Collector to Emitter Shorted Voltage1200 V

Collector to Emitter Voltage1200 V

ConfigurationDual

Continuous Collector Current154 A

Dimensions106.4 x 61.4 x 30.5 mm

Energy Rating10.7 mJ

Gate to Emitter Voltage20 V

Height1.201" (30.5mm)

Length4.188" (106.4mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeScrew

Number of Pins7

Package TypeSemitrans3

Resistance, Thermal, Junction to Case0.038 K/W

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

TypeTrench

Width2.417" (61.4mm)

供应商SKM100GB12T4G
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SKM100GB12T4GIGBT4 Modules SEMIKRON[Semikron International]SEMIKRON[Semikron International]的LOGO398.04 Kbytes共5页SKM100GB12T4G的PDF下载地址SKM50GB12T4,SKM75GB12T4,SKM100GB12T4,SKM150GB12T4,C30659,PM100RLA120,0816-1X4T-43-F,0833-2X8R-59-F,SKKT15_98,HU20260
SKM100GB12T4GFast IGBT4 Modules SEMIKRON[Semikron International]SEMIKRON[Semikron International]的LOGO403.67 Kbytes共5页SKM100GB12T4G的PDF下载地址
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Allied Electronics
SKM100GB12T4GSEMIKRONIGBT Half-Bridge - Trench, SEMITRANS 2, VCES=1200V, IC=160A, VF=2.5V+1:$170.57
+12:$161.45
+48:$153.28
+96:$145.87
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Richardson RFPD
SKM100GB12T4GSEMIKRONPOWER IGBT TRANSISTOR1 : $0.0
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TME Electronic Components
SKM100GB12T4GSEMIKRONModule: IGBT; 1.2kV; 100A; SEMITRANS31 : $92.69
3 : $83.98
10 : $78.21