系列：TrenchFET®
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：500mA（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.71nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：21pF @ 6V
Vgs（最大值）：±5V
功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：340 毫欧 @ 500mA，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® 0806
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs