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SIE832DF-T1-E3 /N-Channel 40 V 0.0055 Ohm 104 W Surface Mount Power Mosfet - PolarPAK
SIE832DF-T1-E3的规格信息
SIE832DF-T1-E3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：77nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：3800pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），104W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：5.5 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：10-PolarPAK®（S）

封装形式Package：PolarPAK-10

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：23.6A

漏源极导通电阻RDS(ON)：5.5mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SIE832DF-T1-E3
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIE832DF-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SIE832DF-T1-E3N-Channel 40-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO179.58 Kbytes共10页SIE832DF-T1-E3的PDF下载地址无
SIE832DF-T1-E3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		SIE832DF-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 23.6A 10-Pin PolarPAK T/R30,000 : $1.1505
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Arrow(艾睿)		SIE832DF-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 50A 104W3000+:￥11.0301
6000+:￥10.62
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Avnet Express		SIE832DF-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $2.1912
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Avnet Express		SIE832DF-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 40V 23.6A 10PIN POLARPAK - Tape and Reel3,000 : $1.543
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Digi-Key 得捷电子		SIE832DF-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK10 : $2.793
1 : $3.11
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Digi-Key 得捷电子		SIE832DF-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 50A 104W3000+:￥11.0301
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Future Electronics		SIE832DF-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 40 V 0.0055 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PolarPAK
RoHS : Compliant		1 : $2.5333
20 : $2.4889
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Mouser 贸泽电子		SIE832DF-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 40V 50A 104W3000+:￥11.0301
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