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SIE802DF-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIE802DF-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs With Double-Sided Cooling

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 23.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7000pF @ 15V

功率 - 最大值:125W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:10-PolarPAK®(L)

供应商器件封装:10-PolarPAK®(L)

其它名称:SIE802DF-T1-E3TR

供应商SIE802DF-T1-E3
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SIE802DF-T1-E3MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10VVishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO193.20 Kbytes共10页SIE802DF-T1-E3的PDF下载地址
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SIE802DF-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥12.871+:¥19.46
10+:¥15.57
100+:¥14.25
250+:¥12.92
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SIE802DF-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥12.871+:¥19.46
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50+:¥20.01
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500+:¥13.82
1000+:¥12.16
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Mouser 贸泽电子
SIE802DF-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V1:¥28.589
10:¥23.6622
100:¥19.5151
250:¥18.9049
3,000:¥13.5261
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Verical
SIE802DF-T1-E3Vishay半导体 MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥12.871+:¥19.46
10+:¥15.57
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10+:¥19.2399
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100+:¥16.16
250+:¥15.4
500+:¥14.1
1000+:¥14.07