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SIE726DF-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIE726DF-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SkyFET®,TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7400pF @ 15V

功率 - 最大值:125W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:10-PolarPAK®(L)

供应商器件封装:10-PolarPAK®(L)

其它名称:SIE726DF-T1-GE3-NDSIE726DF-T1-GE3TRSIE726DFT1GE3

供应商SIE726DF-T1-GE3
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