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SIDR668DP-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
SIDR668DP-T1-GE3的规格信息
SIDR668DP-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8DC-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:95 A

Rds On-漏源导通电阻:5.05 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:7.5 V

Qg-栅极电荷:72 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SID

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:28 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:22 ns

供应商SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC1:¥22.5096
10:¥18.6676
100:¥14.5205
500:¥12.6786
3,000:¥9.7632
6,000:查看