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SIDR390DP-T1-RE3 /MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8DC
SIDR390DP-T1-RE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列TrenchFET® Gen IV

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)69.9A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)0.8 毫欧 @ 20A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)153nC @ 10V

Vgs(最大值)+20V,-16V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)10180pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(最大值)6.25W(Ta),125W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PowerPAK® SO-8DC

封装/外壳PowerPAK® SO-8

供应商SIDR390DP-T1-RE3
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