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SI9407BDY-T1-GE3 /MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
SI9407BDY-T1-GE3的规格信息
SI9407BDY-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:4.7 A

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:14.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI9

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:8.5 nS

下降时间:30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:70 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns, 40 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 30 ns

零件号别名:SI9407BDY-GE3

单位重量:506.600 mg

供应商SI9407BDY-T1-GE3
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供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司SI9407BDY-T1-GE3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668		许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI9407BDY-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI9407BDY-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市大源实业科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si9407BDY-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市宸远科技有限公司SI9407BDY-T1-GE3深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
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SI9407BDY-T1-GE3MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO214.14 Kbytes共9页SI9407BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI9407BDY-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOICVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO213.39 Kbytes共9页SI9407BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI9407BDY-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO185.15 Kbytes共9页SI9407BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI9407BDY-T1-GE3MOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5WSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO213.39 Kbytes共9页SI9407BDY-T1-GE3的PDF下载地址无
SI9407BDY-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI9407BDY-T1-GE3Siliconix / VishayMOSFET, P-Ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 150mohm, Id 4.7A, SO-8, Pd 5W+1:$1.22
+25:$1.22
+100:$1.22
+250:$1.22
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
25000+:￥2.1799
62500+:￥2.14
125000+:￥2.11+:￥5.8
10+:￥4.66
100+:￥3.58
500+:￥3.1601
1000+:￥3.09
2500+:￥2.95
5000+:￥2.8401
10000+:￥2.76
25000+:￥2.682500+:￥1.732500+:￥2.051+:￥3.391+:￥2.46
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
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1000+:￥3.09
2500+:￥2.95
5000+:￥2.8401
10000+:￥2.76
25000+:￥2.682500+:￥1.73
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
25000+:￥2.1799
62500+:￥2.14
125000+:￥2.1
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
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125000+:￥2.11+:￥5.8
10+:￥4.66
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10000+:￥2.76
25000+:￥2.682500+:￥1.732500+:￥2.051+:￥3.39
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
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62500+:￥2.14
125000+:￥2.11+:￥5.8
10+:￥4.66
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500+:￥3.1601
1000+:￥3.09
2500+:￥2.95
5000+:￥2.8401
10000+:￥2.76
25000+:￥2.682500+:￥1.732500+:￥2.05
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
25000+:￥2.1799
62500+:￥2.14
125000+:￥2.11+:￥5.8
10+:￥4.66
100+:￥3.58
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2500+:￥2.95
5000+:￥2.8401
10000+:￥2.76
25000+:￥2.68
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI9407BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-81:¥8.6106
10:¥7.0625
100:¥5.4127
500:¥4.6556
2,500:¥4.6556
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI9407BDY-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V2500+:￥2.53
5000+:￥2.36
12500+:￥2.27
25000+:￥2.1799
62500+:￥2.14
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10+:￥4.66
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25000+:￥2.682500+:￥1.732500+:￥2.051+:￥3.391+:￥2.461+:￥1.9
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立创商城		SI9407BDY-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.4W 类型：P沟道1+:￥2.17
10+:￥1.64
30+:￥1.55
100+:￥1.4065
500+:￥1.3677
1000+:￥1.3386
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