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SI9400DY / MOSFET 20V 2.5A 2.5W
SI9400DY的规格信息
SI9400DY的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:2.5 A

Vds-漏源极击穿电压:- 20 V

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:10 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:12 ns

工厂包装数量:100

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:10 ns

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SI9400DYP-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO58.5 Kbytes共4页SI9400DY的PDF下载地址SI4943DY,SI7911DN,AF4415P,SI3495DV,SI1901DL,SI5433DC,SI7705DN,SI7485DP,SI9434BDY,SI3467DV
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