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SI7270DP-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7270DP-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 15V

功率 - 最大值:17.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装:PowerPAK® SO-8 Dual

供应商SI7270DP-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SI7270DP-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI7270DP-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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集好芯城SI7270DP-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SI7270DP-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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SI7270DP-T1-GE3Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO502.76 Kbytes共13页SI7270DP-T1-GE3的PDF下载地址
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SI7270DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
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SI7270DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsDUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET3,000 : $2.0
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SI7270DP-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.4724
14,999 : $0.4557
29,999 : $0.4447
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SI7270DP-T1-GE3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.72
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SI7270DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified
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5 : $0.68
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SI7270DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
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SI7270DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-83,000 : $0.476
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SI7270DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8Obsolete
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SI7270DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
10+:¥5.5199
100+:¥4.24
500+:¥3.74
1000+:¥3.66
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SI7270DP-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R$0.5972
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SI7270DP-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥3.461+:¥6.8401
10+:¥5.5199
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25+:¥6.27
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25+:¥5.9
100+:¥4.71