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SI7218DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI7218DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 15V

功率 - 最大值:23W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8 双

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8 Dual

供应商SI7218DN-T1-GE3
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SI7218DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO571.60 Kbytes共13页SI7218DN-T1-GE3的PDF下载地址
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SI7218DN-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品3000+:¥4.893000+:¥3.81
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