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SI4686DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4686DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®,WFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18.2A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 13.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1220pF @ 15V

功率 - 最大值:5.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4686DY-T1-GE3TR

供应商SI4686DY-T1-GE3
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SI4686DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET®, WFET® 分立半导体产品2500+:¥4.581+:¥7.7099
10+:¥6.1999
100+:¥4.77
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1000+:¥4.12
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SI4686DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET®, WFET® 分立半导体产品2500+:¥4.58
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SI4686DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO$1.63000
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SI4686DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V1:¥13.673
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Mouser 贸泽电子
SI4686DY-T1-GE3Vishay半导体 MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V FET - 单 TrenchFET®, WFET® 分立半导体产品2500+:¥4.581+:¥7.7099
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