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SI4670DY-T1-E3 /MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
SI4670DY-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 V

Id-连续漏极电流:7 A

Rds On-漏源导通电阻:23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:18 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.8 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SI4

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:50 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SI4670DY-E3

单位重量:187 mg

供应商SI4670DY-T1-E3
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI4670DY-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457
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深圳市芯幂科技有限公司SI4670DY-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
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15302723671/15820783671
曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
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13332931905
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SI4670DY-T1-E3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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SI4670DY-T1-E3Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO277.11 Kbytes共15页SI4670DY-T1-E3的PDF下载地址
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SI4670DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥8.95
10+:¥7.89
25+:¥7.12
100+:¥6.23
250+:¥5.47
500+:¥4.85
1000+:¥3.84012500+:¥3.49
5000+:¥3.36
10000+:¥3.28
25000+:¥3.17991+:¥3.8
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SI4670DY-T1-E3Vishay SiliconixDUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY - Tape and Reel2,500 : $0.4786
12,499 : $0.4559
24,999 : $0.4506
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SI4670DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC10 : $1.034
1 : $1.16
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Digi-Key 得捷电子
SI4670DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥8.95
10+:¥7.89
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SI4670DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-81:¥10.3734
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Mouser 贸泽电子
SI4670DY-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥8.95
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10000+:¥3.28
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Rutronik
SI4670DY-T1-E3Vishay IntertechnologiesDUAL 25V 8A 23mOhm SO-8 RoHSconf价格未公开