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SI4670DY-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI4670DY-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):680pF @ 13V

功率 - 最大值:2.8W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

其它名称:SI4670DY-T1-GE3TRSI4670DYT1GE3

供应商SI4670DY-T1-GE3
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SI4670DY-T1-GE3Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO277.11 Kbytes共15页SI4670DY-T1-GE3的PDF下载地址
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SI4670DY-T1-GE3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品2500+:¥3.462500+:¥3.49
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SI4670DY-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTKY - Tape and Reel2,500 : $0.4786
12,499 : $0.4559
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SI4670DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC$0.52360
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