标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：TrenchFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：680pF @ 13V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

其它名称：SI4670DY-T1-GE3TRSI4670DYT1GE3