FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±8V
功率耗散（最大值）：1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 5.8A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：6-TSOP
封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs