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SI3443DV-T1 / MOSFET 20V 4.4A 2W
SI3443DV-T1的规格信息
SI3443DV-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:- 20 V

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-6

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:40 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:32 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:57 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SI3443DV-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI3443DV-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI3443DV-T1-GE3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SI3443DV-T1深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳和润天下电子科技有限公司SI3443DV-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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SI3443DV-T1P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO64.64 Kbytes共5页SI3443DV-T1的PDF下载地址
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SI3443DV-T1Vishay Intertechnologies MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP2,463 : $0.3125
534 : $0.325
1 : $1.25
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SI3443DV-T1Vishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP4,801 : $0.275
2,463 : $0.3125
1 : $1.25