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SI3443DV-T1 / MOSFET 20V 4.4A 2W
SI3443DV-T1的规格信息
SI3443DV-T1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:4 A

Vds-漏源极击穿电压:- 20 V

Rds On-漏源导通电阻:65 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :8 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-6

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:40 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:32 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:57 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SI3443DV-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司SI3443DV-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI3443DV-T1-GE3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市成源运利电子科技有限公司SI3443DV-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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集好芯城SI3443DV-T1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市兴中芯科技有限公司SI3443DV-T1-T3深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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SI3443DV-T1P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO64.64 Kbytes共5页SI3443DV-T1的PDF下载地址
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SI3443DV-T1Vishay Intertechnologies MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP168 : $0.2
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SI3443DV-T1Vishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP534 : $0.325
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SI3443DV-T1Vishay Semiconductors MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP668 : $0.26
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SI3443DV-T1Vishay Intertechnologies MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP2,463 : $0.3125
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1 : $1.25
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SI3443DV-T1Vishay Siliconix MOSFET Transistor, P-Channel, TSOP4,801 : $0.275
2,463 : $0.3125
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