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SI1032X-T1-E3/BKN /20V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PROTECT
SI1032X-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

ConfigurationSingle

Dimensions1.7 x 0.95 x 0.8 mm

Drain Current200 mA

Drain to Source On Resistance10 Ω

Drain to Source Voltage20 V

Forward Transconductance0.5 S

Forward Voltage, Diode1.2 V

Gate to Source Voltage±6 V

Height0.031" (0.8mm)

Length0.066" (1.68mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins3

Operating and Storage Temperature–55 TO +150 C

Package TypeSC-75A, SC-89

PolarizationN-Channel

Power Dissipation300 mW

SeriesSI10 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Total Gate Charge330 pC

Turn Off Delay TimeMaximum of 50 ns

Turn On Delay TimeMaximum of 50 ns

Typical Gate Charge @ Vgs750 nC @ 4.5 V

Voltage, Breakdown, Drain to Source20 V

Width0.037" (0.95mm)

供应商SI1032X-T1-E3/BKN
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