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SI1029X-T1-E3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SI1029X-T1-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):305mA,190mA

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 25V

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:SC-89-6

其它名称:SI1029X-T1-E3TR

供应商SI1029X-T1-E3
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SI1029X-T1-E3Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO130.48 Kbytes共8页SI1029X-T1-E3的PDF下载地址SI1029X,SI4559ADY,SI1016X_08,SUD50NP04-77P,SI1035X_08,SUD10P06-280L,KI4500BDY,SI5504BDC,KI4501ADY,SI2309CDS
SI1029X-T1-E3/BKN60V (D-S) P&N COMP MOSFET W/ESD PROSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO108.15 Kbytes共8页SI1029X-T1-E3/BKN的PDF下载地址
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SI1029X-T1-E3Siliconix / Vishay60V (D-S) P&N COMP MOSFET W/ESD PRO+3000:$0.24
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SI1029X-T1-E3VishayFET - 阵列 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥3.02
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SI1029X-T1-E3Vishay IntertechnologiesDual N & P Channel 60 V 1.4/4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-89-6
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