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SI1013X-T1-E3/BKN /1.8V P-CHANNEL MOSFET W/ESD PROTECT
SI1013X-T1-E3/BKN的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeP

ConfigurationSingle

Dimensions1.7 x 0.95 x 0.8 mm

Drain Current-275 mA

Drain to Source On Resistance2.7 Ω

Drain to Source Voltage-20 V

Forward Transconductance0.4 S

Forward Voltage, Diode-1.2 V

Gate to Source Voltage±6 V

Height0.031" (0.8mm)

Length0.066" (1.68mm)

Maximum Operating Temperature+150 °C

Minimum Operating Temperature-55 °C

Mounting TypeSurface Mount

Number of Elements per Chip1

Number of Pins3

Package TypeSC-89

Power Dissipation250 mW

SeriesSI10 Series

Temperature Operating Range-55 to +150 °C

Turn Off Delay Time35 ns

Turn On Delay Time5 ns

Typical Gate Charge @ Vgs1500 nC @ -4.5 V

Width0.037" (0.95mm)

供应商SI1013X-T1-E3/BKN
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