系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：800mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：62pF @ 6V

Vgs（最大值）：±5V

功率耗散（最大值）：190mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：640 毫欧 @ 400mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-89，SOT-490

封装形式Package：SC-89

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：12V

连续漏极电流ID：0.48A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs