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SEMIX453GD12E4C /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SEMIX453GD12E4C的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current683 A

Collector to Emitter Shorted Voltage1200 V

Collector to Emitter Voltage1200 V

ConfigurationArray

Continuous Collector Current683 A

Dimensions149.5 x 163 x 17 mm

Energy Rating52 mJ

Gate to Emitter Voltage20 V

Height0.669" (17mm)

Length5.885" (149.5mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeScrew

Number of Pins29

Package TypeSEMIX 33c

Resistance, Thermal, Junction to Case0.065 K/W

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

TypeUltrafast

Width6.417" (163mm)

供应商SEMIX453GD12E4C
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