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SEMIX303GB12E4S /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SEMIX303GB12E4S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Channel TypeN

Collector Current466 A

Collector to Emitter Shorted Voltage1200 V

Collector to Emitter Voltage1200 V

ConfigurationDual

Continuous Collector Current466 A

Dimensions149.5 x 63.5 x 17 mm

Energy Rating33 mJ

Gate to Emitter Voltage20 V

Height0.669" (17mm)

Length5.885" (149.5mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeScrew

Number of Pins20

Package TypeSEMIX 3s

Resistance, Thermal, Junction to Case0.095 K/W

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

TypeUltrafast

Width2.5" (63.5mm)

供应商SEMIX303GB12E4S
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