SE8831A
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:双N沟道
SE8831A的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.1A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻19.5mΩ @ 6.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)700mW
类型双N沟道
SE8831A
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SE8831A | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:双N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 395.56 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE8831A | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:19.5mΩ @ 6.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:双N沟道 | 10+:¥0.302163 100+:¥0.227193 300+:¥0.213423 1000+:¥0.199653 5000+:¥0.193533 10000+:¥0.190509
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