SE8810(ESD)
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道
SE8810(ESD)的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 7A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型双N沟道
SE8810(ESD)
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SE8810(ESD) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 366.11 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE8810(ESD) | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道 | 5+:¥0.564037 50+:¥0.424093 150+:¥0.398389 500+:¥0.372685 2500+:¥0.361261 5000+:¥0.355616
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