SE85210GA
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W(Tc) 类型:N沟道
SE85210GA的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)210A
栅源极阈值电压3.8V @ 250uA
漏源导通电阻3.8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)310W(Tc)
类型N沟道
SE85210GA
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SE85210GA | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W(Tc) 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 588.49 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE85210GA | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):210A 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:3.8V @ 250uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥6.05 10+:¥4.45 30+:¥4.16 100+:¥3.87 500+:¥3.73 1000+:¥3.67
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