SE2060
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
SE2060的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A
栅源极阈值电压1.4V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 20A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)3W
类型N沟道
SE2060
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SE2060 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | SINO-IC(光宇睿芯) |  | 510.47 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | SE2060 | SINO-IC(光宇睿芯) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8461 10+:¥0.6362 30+:¥0.5976 100+:¥0.5591 500+:¥0.5419 1000+:¥0.5335
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