SE200100G的供应商，SE200100G规格参数，SE200100G的PDF资料

SE200100G /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

SE200100G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）200V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）100A

栅源极阈值电压4.5V @ 250A

漏源导通电阻13.5mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）300W

类型N沟道

SE200100G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SE200100G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SE200100G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
万三科技（深圳）有限公司	SE200100G	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SE200100G	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	SE200100G	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SE200100G	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价

SE200100G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SE200100G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道	SINO-IC(光宇睿芯)		765.62 Kbytes	共7页		无

SE200100G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SE200100G	SINO-IC(光宇睿芯)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：13.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道	1+:￥14.23 10+:￥10.39 30+:￥9.69 100+:￥8.98 500+:￥8.67 1000+:￥8.51

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